Número do Produto do Fabricante:
IPT60R022S7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPT60R022S7XTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventário:
1285 Pcs Novo Original Em Estoque
12810868
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IPT60R022S7XTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™S7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1.44mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5639 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-2
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Número do produto base
IPT60R022
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SP003330410
448-IPT60R022S7XTMA1DKR
448-IPT60R022S7XTMA1TR
448-IPT60R022S7XTMA1CT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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