IPS60R360PFD7SAKMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPS60R360PFD7SAKMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPS60R360PFD7SAKMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventário:

832 Pcs Novo Original Em Estoque
12810871
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IPS60R360PFD7SAKMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™PFD7
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 140µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
534 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
43W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPS60R

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Pacote padrão
75

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IPU95R450P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPU95R450P7AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.98
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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