IPSA70R750P7SAKMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPSA70R750P7SAKMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPSA70R750P7SAKMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventário:

260 Pcs Novo Original Em Estoque
12805774
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IPSA70R750P7SAKMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 70µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
306 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34.7W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPSA70

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-IPSA70R750P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R750P7SAKMA1
SP001664796
IPSA70R750P7S
Pacote padrão
1,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IPS70R360P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2881
NÚMERO DA PEÇA
IPS70R360P7SAKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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