Número do Produto do Fabricante:
IPS70R360P7SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventário:
2881 Pcs Novo Original Em Estoque
12806092
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IPS70R360P7SAKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
517 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
59.5W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPS70R360
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPS70R360P7SAKMA1
SP001499712
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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