Número do Produto do Fabricante:
IPS65R1K0CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS65R1K0CEAKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
12803749
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IPS65R1K0CEAKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
37W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
IPS65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPS65R1K0CEAKMA1-IT
IFEINFIPS65R1K0CEAKMA1
SP001276048
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STU7NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
650
NÚMERO DA PEÇA
STU7NM60N-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.92
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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