IPD90N03S4L02ATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPD90N03S4L02ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPD90N03S4L02ATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventário:

52331 Pcs Novo Original Em Estoque
12803750
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IPD90N03S4L02ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 90µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9750 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD90

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IPD90N03S4L-02
IPD90N03S4L-02DKR-DG
IPD90N03S4L02ATMA1CT
IPD90N03S4L-02TR-DG
IPD90N03S4L-02CT-DG
INFINFIPD90N03S4L02ATMA1
SP000273284
IPD90N03S4L-02-DG
IPD90N03S4L02ATMA1TR
IPD90N03S4L-02TR
IPD90N03S4L02
IPD90N03S4L-02CT
IPD90N03S4L-02DKR
IPD90N03S4L02ATMA1DKR
2156-IPD90N03S4L02ATMA1
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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