Número do Produto do Fabricante:
IPS135N03LGAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS135N03LGAKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventário:
12803268
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IPS135N03LGAKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3-11
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPS135N03LGIN-DG
SP000788220
SP000257455
IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGXK
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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