IPA65R1K0CEXKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPA65R1K0CEXKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPA65R1K0CEXKSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventário:

12803274
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IPA65R1K0CEXKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA65R1

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-IPA65R1K0CEXKSA1
ROCINFIPA65R1K0CEXKSA1
SP001429758
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
STF10N65K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
952
NÚMERO DA PEÇA
STF10N65K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
TK6A65D(STA4,Q,M)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
35
NÚMERO DA PEÇA
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.73
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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