Número do Produto do Fabricante:
IPP80N06S2L06AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP80N06S2L06AKSA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
12804683
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IPP80N06S2L06AKSA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 180µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP80N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPP80N06S2L06AKSA2-IT
SP001067882
INFINFIPP80N06S2L06AKSA2
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SUP90N06-6M0P-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
581
NÚMERO DA PEÇA
SUP90N06-6M0P-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STP80NF55-06
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
999
NÚMERO DA PEÇA
STP80NF55-06-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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