Número do Produto do Fabricante:
IRF7759L2TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7759L2TR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventário:
12804688
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IRF7759L2TR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Ta), 375A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12222 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DirectFET™ Isometric L8
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric L8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF7759L2TR1PBFCT
IRF7759L2TR1PBFDKR
SP001566426
IRF7759L2TR1PBFTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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