Número do Produto do Fabricante:
IPP110N20NAAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP110N20NAAKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
2824 Pcs Novo Original Em Estoque
12804436
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IPP110N20NAAKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptimWatt™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 270µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPP110N20NAAKSA1
INFINFIPP110N20NAAKSA1
IPP110N20NA-DG
IPP110N20NA
SP000877672
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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