Número do Produto do Fabricante:
IPB80N06S4L05ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB80N06S4L05ATMA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12804441
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IPB80N06S4L05ATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 60µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8180 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB80N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001028720
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA230N075T2-7
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
45
NÚMERO DA PEÇA
IXFA230N075T2-7-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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