Número do Produto do Fabricante:
IPN80R1K2P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPN80R1K2P7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventário:
5987 Pcs Novo Original Em Estoque
12818458
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPN80R1K2P7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
IPN80R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPN80R1K2P7ATMA1-448
IPN80R1K2P7ATMA1DKR
SP001664998
IPN80R1K2P7ATMA1-DG
IPN80R1K2P7ATMA1TR
IPN80R1K2P7ATMA1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
IRFR18N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
