CSD23202W10T
Número do Produto do Fabricante:

CSD23202W10T

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

DiGi Electronics Número da Peça:

CSD23202W10T-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)

Inventário:

15659 Pcs Novo Original Em Estoque
12818467
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

CSD23202W10T Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
512 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DSBGA (1x1)
Pacote / Estojo
4-UFBGA, DSBGA
Número do produto base
CSD23202

Folha de Dados & Documentos

Página do produto do fabricante
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
296-38338-6
296-38338-1
296-38338-2
Pacote padrão
250

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
texas-instruments

CSD19532Q5B

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

infineon-technologies

IRFR18N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

infineon-technologies

IRF4104S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRF2807S

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK