Número do Produto do Fabricante:
IPL60R299CPAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL60R299CPAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11.1A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventário:
12803571
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IPL60R299CPAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CP
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 440µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL60R299
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPL60R299CPAUMA1CT
IPL60R299CP
IPL60R299CP-DG
2156-IPL60R299CPAUMA1
IPL60R299CPAUMA1DKR
SP000841896
IPL60R299CPCT
IPL60R299CPDKR
IPL60R299CPTR-DG
IPL60R299CPCT-DG
IPL60R299CPAUMA1TR
IPL60R299CPDKR-DG
INFINFIPL60R299CPAUMA1
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCMT299N60
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2390
NÚMERO DA PEÇA
FCMT299N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPL60R285P7AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPL60R285P7AUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.96
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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