Número do Produto do Fabricante:
IPL60R285P7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL60R285P7AUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventário:
12804801
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPL60R285P7AUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
285mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 190µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
761 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
59W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL60R285
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001657424
IPL60R285P7AUMA1-DG
IPL60R285P7AUMA1TR
IPL60R285P7AUMA1CT
IPL60R285P7AUMA1DKR
IPL60R285P7
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
IRF3610STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
IPS65R950C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
