Número do Produto do Fabricante:
IPS80R2K4P7AKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventário:
12804805
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPS80R2K4P7AKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 40µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
22W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPS80R2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001644624
IFEINFIPS80R2K4P7AKMA1
2156-IPS80R2K4P7AKMA1
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPU80R2K4P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1339
NÚMERO DA PEÇA
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFB3607GPBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
IRFI520N
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP
IRF3805SPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
