Número do Produto do Fabricante:
IPI120N08S403AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI120N08S403AKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
12800531
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IPI120N08S403AKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 223µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPI120N08S403AKSA1
SP000989108
INFINFIPI120N08S403AKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IAUA180N08S5N026AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1570
NÚMERO DA PEÇA
IAUA180N08S5N026AUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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