Número do Produto do Fabricante:
IPA180N10N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPA180N10N3GXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventário:
12800546
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IPA180N10N3GXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 35µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPA1-DG80N10N3GXKSA1-DG
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-DG
IFEINFIPA180N10N3GXKSA1
SP000480108
IPA180N10N3G
2156-IPA180N10N3GXKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP180N10N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
170
NÚMERO DA PEÇA
IPP180N10N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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