Número do Produto do Fabricante:
IPU60R1K5CEBKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPU60R1K5CEBKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
12823044
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPU60R1K5CEBKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 90µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPU60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ROCINFIPU60R1K5CEBKMA1
SP001276062
2156-IPU60R1K5CEBKMA1-IT
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD6N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2496
NÚMERO DA PEÇA
STD6N65M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.48
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXTA90N055T
MOSFET N-CH 55V 90A TO263
TPS1101D
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
IRFR5305TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
