Número do Produto do Fabricante:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Descrição:
HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventário:
13004367
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IPDQ65R017CFD7XTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 3.08mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
694W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HDSOP-22-1
Pacote / Estojo
22-PowerBSOP Module
Número do produto base
IPDQ65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Pacote padrão
750
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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