Número do Produto do Fabricante:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
TP5335MF-G-VAO-DG
Descrição:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Descrição Detalhada:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventário:
13004384
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TP5335MF-G-VAO Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
350 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
110 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q100
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Pacote / Estojo
6-VDFN Exposed Pad
Número do produto base
TP5335
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
150-TP5335MF-G-VAOTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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