Número do Produto do Fabricante:
IPD80R1K4P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD80R1K4P7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Inventário:
18272 Pcs Novo Original Em Estoque
12801694
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD80R1K4P7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-2
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD80R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1DKR
IPD80R1K4P7ATMA1TR
IPD80R1K4P7ATMA1CT
SP001422564
2156-IPD80R1K4P7ATMA1
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
