Número do Produto do Fabricante:
IPI80N06S207AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI80N06S207AKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12801725
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IPI80N06S207AKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 180µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI80N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPI80N06S207AKSA1
INFINFIPI80N06S207AKSA1
SP000218817
IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-DG
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP80NF55-06
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
999
NÚMERO DA PEÇA
STP80NF55-06-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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