Número do Produto do Fabricante:
IPD60R1K0CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventário:
7232 Pcs Novo Original Em Estoque
12800132
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IPD60R1K0CEAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
61W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-344
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ROCINFIPD60R1K0CEAUMA1
SP001396896
448-IPD60R1K0CEAUMA1DKR
448-IPD60R1K0CEAUMA1CT
448-IPD60R1K0CEAUMA1TR
2156-IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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