Número do Produto do Fabricante:
IPB014N06NATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB014N06NATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventário:
1884 Pcs Novo Original Em Estoque
12800142
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPB014N06NATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 143µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB014
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP000917408
IPB014N06NDKR-DG
IPB014N06NATMA1DKR
IPB014N06NATMA1CT
IPB014N06NDKR
IPB014N06N
IPB014N06NTR
IPB014N06NTR-DG
IPB014N06NCT
IPB014N06NATMA1TR
IPB014N06NCT-DG
IPB014N06N-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
IPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
