Número do Produto do Fabricante:
IPD200N15N3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD200N15N3GBTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12804171
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IPD200N15N3GBTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 90µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD200N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD200N15N3 GDKR
IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GTR-DG
IPD200N15N3G
IPD200N15N3GBTMA1TR
IPD200N15N3 GCT-DG
SP000386665
IPD200N15N3GBTMA1DKR
IPD200N15N3 G-DG
IPD200N15N3 GTR
IPD200N15N3 GDKR-DG
IPD200N15N3GBTMA1CT
IPD200N15N3 G
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD200N15N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
51180
NÚMERO DA PEÇA
IPD200N15N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
FDD86250
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1640
NÚMERO DA PEÇA
FDD86250-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.90
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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