Número do Produto do Fabricante:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD30N06S215ATMA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
4675 Pcs Novo Original Em Estoque
12804172
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IPD30N06S215ATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD30N06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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