Número do Produto do Fabricante:
IPD12CN10NGBUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD12CN10NGBUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12799858
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IPD12CN10NGBUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 83µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4320 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD12C
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD12CN10NGBUMA1TR
IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-DG
SP000096476
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD12CN10NGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7180
NÚMERO DA PEÇA
IPD12CN10NGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.97
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
STD80N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
STD80N10F7-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPD082N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
31476
NÚMERO DA PEÇA
IPD082N10N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.82
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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