Número do Produto do Fabricante:
IPD12CN10NGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD12CN10NGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
7180 Pcs Novo Original Em Estoque
12801313
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IPD12CN10NGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 83µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4320 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD12CN10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001127806
IPD12CN10NGATMA1CT
IPD12CN10NGATMA1-DG
IPD12CN10NGATMA1DKR
IPD12CN10NGATMA1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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