Número do Produto do Fabricante:
IPB50R199CPATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB50R199CPATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12801306
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IPB50R199CPATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
550 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 660µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
139W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB50R199
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-DG
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB20N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
845
NÚMERO DA PEÇA
STB20N65M5-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.46
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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