Número do Produto do Fabricante:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB039N10N3GE8187ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventário:
12800462
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IPB039N10N3GE8187ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 160µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB039
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187DKR
IPB039N10N3GE8187ATMA1CT
IPB039N10N3GE8187
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
IPB039N10N3GE8187ATMA1DKR
IPB039N10N3 G E8187DKR-DG
IPB039N10N3 G E8187-DG
SP000939340
IPB039N10N3 G E8187TR-DG
IPB039N10N3 G E8187CT
IPB039N10N3 G E8187CT-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB039N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
29647
NÚMERO DA PEÇA
IPB039N10N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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