Número do Produto do Fabricante:
IPD60R180C7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD60R180C7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
2495 Pcs Novo Original Em Estoque
12800465
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IPD60R180C7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 260µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPD60R180C7ATMA1TR
448-IPD60R180C7ATMA1DKR
448-IPD60R180C7ATMA1CT
2156-IPD60R180C7ATMA1
IFEINFIPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1-DG
SP001277630
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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