IPA60R800CEXKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPA60R800CEXKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPA60R800CEXKSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventário:

12800147
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IPA60R800CEXKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 170µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
373 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA60R

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-IPA60R800CEXKSA1-IT
INFINFIPA60R800CEXKSA1
SP001276046
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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