Número do Produto do Fabricante:
IPB011N04LGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB011N04LGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventário:
2493 Pcs Novo Original Em Estoque
12803952
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPB011N04LGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
346 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
29000 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-3
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB011
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB011N04L GCT
IPB011N04L GDKR
IPB011N04L GTR-DG
IPB011N04L GCT-DG
SP000391498
IPB011N04L GDKR-DG
IPB011N04LGATMA1CT
IPB011N04LG
IPB011N04L G
IPB011N04L GTR
IPB011N04L G-DG
IPB011N04LGATMA1DKR
IPB011N04LGATMA1TR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
