Número do Produto do Fabricante:
IPD30N10S3L34ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
35870 Pcs Novo Original Em Estoque
12803954
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ENVIAR
IPD30N10S3L34ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 29µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1976 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD30N10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD30N10S3L-34TR
IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
IPD30N10S3L-34CT-DG
IPD30N10S3L34
SP000261248
IPD30N10S3L-34DKR-DG
IPD30N10S3L34ATMA1CT
IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34TR-DG
IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34-DG
IPD30N10S3L34ATMA1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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