Número do Produto do Fabricante:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IMDQ75R140M1HXUMA1-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventário:
13269122
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IMDQ75R140M1HXUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
750 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
129mOhm @ 4.7A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 1.7mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
351 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HDSOP-22-1
Pacote / Estojo
22-PowerBSOP Module
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IMDQ75R140M1HXUMA1CT
448-IMDQ75R140M1HXUMA1DKR
SP005588271
448-IMDQ75R140M1HXUMA1TR
Pacote padrão
750
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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