Número do Produto do Fabricante:
IRFB4110PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFB4110PBFXKMA1-DG
Descrição:
TRENCH >=100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13269135
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IRFB4110PBFXKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9620 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
SP005732686
448-IRFB4110PBFXKMA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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