IGLD60R070D1AUMA1
Número do Produto do Fabricante:

IGLD60R070D1AUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IGLD60R070D1AUMA1-DG

Descrição:

GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Inventário:

12838651
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IGLD60R070D1AUMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
CoolGaN™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-LSON-8-1
Pacote / Estojo
8-LDFN Exposed Pad
Número do produto base
IGLD60

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
SP001705420
IGLD60R070D1AUMA1DKR
IGLD60R070D1AUMA1TR
2156-IGLD60R070D1AUMA1TR
IGLD60R070D1AUMA1CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IGLD60R070D1AUMA3
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1584
NÚMERO DA PEÇA
IGLD60R070D1AUMA3-DG
PREÇO UNITÁRIO
7.39
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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