Número do Produto do Fabricante:
FQI34P10TU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQI34P10TU-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
12838657
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FQI34P10TU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2910 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
FQI3
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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