Número do Produto do Fabricante:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Descrição:
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Inventário:
12996836
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FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tray
Série
HybridPACK™
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
5.55V @ 240mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1320nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42500pF @ 600V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
AG-HYBRIDD-2
Número do produto base
FS03MR12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554
Pacote padrão
6
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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