Número do Produto do Fabricante:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 85A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2B
Inventário:
45 Pcs Novo Original Em Estoque
12996907
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tray
Série
EasyPACK™
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.15V @ 40mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
297nC @ 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8800pF @ 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
AG-EASY2B
Número do produto base
F3L8MR12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SP005562921
Pacote padrão
18
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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