Número do Produto do Fabricante:
BSS670S2LH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSS670S2LH6327XTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventário:
58757 Pcs Novo Original Em Estoque
12848966
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BSS670S2LH6327XTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
540mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 270mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 2.7µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
75 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
BSS670
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSS670S2L H6327DKR
BSS670S2L H6327CT
BSS670S2LH6327XTSA1CT
BSS670S2L H6327DKR-DG
BSS670S2L H6327-DG
BSS670S2LH6327XTSA1TR
BSS670S2LH6327XTSA1DKR
SP000928950
BSS670S2L H6327CT-DG
BSS670S2L H6327TR-DG
BSS670S2L H6327
BSS670S2LH6327
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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