NTHS2101PT1G

Número do Produto do Fabricante:

NTHS2101PT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTHS2101PT1G-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Descrição Detalhada:

P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Inventário:

RFQ Online

12848968

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

NTHS2101PT1G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

8 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

5.4A (Tj)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

1.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2400 pF @ 6.4 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.3W (Ta)

Temperatura de operação

-

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

ChipFET™

Pacote / Estojo

8-SMD, Flat Lead

Número do produto base

NTHS21

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

NTHS2101PT1G-DG

Informação Adicional

Outros nomes

NTHS2101PT1GOS-DG

NTHS2101PT1GOSCT

NTHS2101PT1GOSTR

=NTHS2101PT1GOSCT-DG

NTHS2101PT1GOS

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

FDA24N40F

MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN

onsemi

FDI045N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO6424A

MOSFET N-CH 30V 6.5A 6TSOP

onsemi

FQAF5N90

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF