BSS225H6327XTSA1
Número do Produto do Fabricante:

BSS225H6327XTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

BSS225H6327XTSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89

Inventário:

12800060
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

BSS225H6327XTSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 94µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
131 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT89
Pacote / Estojo
TO-243AA
Número do produto base
BSS225

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP001195032
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
BSS225H6327FTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5690
NÚMERO DA PEÇA
BSS225H6327FTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

BSS123L7874XT

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

IPB80N06S4L05ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD105N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N04S3H4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3