Número do Produto do Fabricante:
IPB80N04S3H4ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB80N04S3H4ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12800071
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IPB80N04S3H4ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 65µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB80N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB80N04S3-H4
2156-IPB80N04S3H4ATMA1-ITTR
IPB80N04S3H4ATMA1TR
SP000415564
INFINFIPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3-H4-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB80N04S404ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2000
NÚMERO DA PEÇA
IPB80N04S404ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.93
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
STB120N4F6
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
944
NÚMERO DA PEÇA
STB120N4F6-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.93
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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