BSS192PL6327HTSA1
Número do Produto do Fabricante:

BSS192PL6327HTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

BSS192PL6327HTSA1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Descrição Detalhada:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89

Inventário:

12847710
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BSS192PL6327HTSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT89
Pacote / Estojo
TO-243AA

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
BSS192PL6327XT
BSS192PL6327
BSS192PL6327HTSA1DKR
SP000095795
BSS192P L6327-DG
BSS192PL6327INTR-DG
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-DG
BSS192PL6327INDKR-DG
BSS192P L6327
BSS192PL6327HTSA1TR
BSS192PL6327INTR
BSS192PL6327INDKR
BSS192PL6327HTSA1CT
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
BSS192,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
42132
NÚMERO DA PEÇA
BSS192,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
BSS192PH6327FTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
22508
NÚMERO DA PEÇA
BSS192PH6327FTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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