Número do Produto do Fabricante:
BSS192PH6327FTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSS192PH6327FTSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Descrição Detalhada:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventário:
22508 Pcs Novo Original Em Estoque
12799425
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BSS192PH6327FTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT89
Pacote / Estojo
TO-243AA
Número do produto base
BSS192
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
BSS192PH6327FTSA1CT
SP001047642
BSS192PH6327FTSA1TR
BSS192PH6327FTSA1DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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