Número do Produto do Fabricante:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventário:
10343 Pcs Novo Original Em Estoque
12799628
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BSC060P03NS3EGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.1V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6020 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC060
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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