Número do Produto do Fabricante:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventário:
16802 Pcs Novo Original Em Estoque
12799645
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ENVIAR
BSZ110N06NS3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 23µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
BSZ110
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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